TCL華星的MLED專利，通過在柵絕緣層內增設一補償絕緣層，并改變補償絕緣層中的氮硅比值，提高了柵絕緣層的抗靜電擊穿能，緩解了現有MLED顯示面板存在柵絕緣層抗靜電擊穿能力較弱的技術問題。

　　集微網消息，據悉，TCL華星對Mini-LED顯示技術一直有著極高關注度并積極布局產品的研發革新，早在2019年便全球首發了基于Mini-LED on TFT的MLED星曜產品，其研發投入重點圍繞Mini LED、Micro LED等新型顯示技術開發。

　　MLED顯示面板包括Mini LED顯示面板和Micro-LED顯示面板，由于Mini LED/Micro-LED背板為陣列單板，上面有很多交叉走線，制程中這些交疊走線處易發生靜電擊穿。且受限于TFT器件的結構，柵絕緣層無法進一步加厚，導致MLED顯示面板無法通過加厚柵絕緣層去改善靜電擊穿。因此，現有MLED顯示面板存在柵絕緣層抗靜電擊穿能力較弱的技術問題，需要改進。

　　為此，TCL華星于2021年5月10日申請了一項名為“MLED顯示面板及其制備方法”的發明專利（申請號: 202110504657.1），申請人為TCL華星光電技術有限公司。

圖1 MLED顯示面板截面示意圖

　　圖1為本申請提供的MLED顯示面板的截面示意圖，包括襯底10、間隔設置在襯底上的發光器件20和TFT器件30，TFT器件又包括襯底上方的柵絕緣層40，柵絕緣層包括沿遠離襯底方向依次層疊設置的第一子絕緣層401、第二子絕緣層402、第三子絕緣層403，柵絕緣層還包括補償絕緣層404，其中氮原子數量與硅原子數量的比值至少大于子絕緣層中氮原子數量與硅原子數量的比值。

　　通過在柵絕緣層內增設一補償絕緣層，改變補償絕緣層中的氮硅比值，使補償絕緣層的抗靜電擊穿能力大于柵絕緣層的其他膜層，進而提高柵絕緣層的抗靜電擊穿能力。補償絕緣層中氮原子數量與硅原子數量的比值至少大于柵絕緣層中任一膜層的氮原子數量與硅原子數量的比值。柵絕緣層的總厚度可以保持不變，將子絕緣層中的部分膜層厚度降低，降低的厚度為補償絕緣層的厚度。

　　TFT器件還包括柵極50、有源層60、歐姆接觸層70、源極80、漏極90。補償絕緣層的膜層密度大于第一子絕緣層的膜層密度。膜層密度與沉積膜層的成膜速率相關，成膜速率越慢，膜層的密度越大，致密性越高。通過降低補償絕緣層的成膜速率，使補償絕緣層更加致密，通過補償絕緣層代替第一子絕緣層與下方金屬膜層的倒角相接觸，避免了現有技術中因第一子絕緣層的膜層致密性不足導致所述倒角處的柵絕緣層出現裂口的技術問題。

　　簡而言之，TCL華星的MLED專利，通過在柵絕緣層內增設一補償絕緣層，并改變補償絕緣層中的氮硅比值，提高了柵絕緣層的抗靜電擊穿能，緩解了現有MLED顯示面板存在柵絕緣層抗靜電擊穿能力較弱的技術問題。

　　TCL華星是一家專注于半導體顯示領域的創新型科技企業，以持續技術創新提升產品力。未來TCL華星將繼續擴大規模優勢，推進高端化戰略，不斷優化產線和產品結構，保持行業領先的效率效益優勢。