近日，英國蘭開斯特大學物理與工程系的科學家發表了一篇論文，詳細介紹了UltraRAM量產方面的突破。由于其極具吸引力的品質，研究人員多年來一直在考慮這種新型存儲器類型，而最新的突破意味著硅晶片上的大規模生產可能在眼前。UltraRAM 被描述為一種內存技術，它“將閃存等數據存儲內存的非易失性與 DRAM 等工作內存的速度、能源效率和耐用性相結合。”

　　重要的是，硅上的 UltraRAM 可能是一種通用內存類型，有朝一日將滿足 PC 和設備的所有內存需求（RAM 和存儲）。然而，我們已經看到一些類似的被預示的想法被擱置了。電阻式 RAM、磁阻式 RAM 和相變存儲器并沒有產生一些初步報告所預見的影響。此外，我們已經看到英特爾的 Optane 內存技術填補了 DRAM 和存儲之間的空白，但并未完全彌合鴻溝。英特爾去年這個時候推出了用于臺式電腦的 Optane 解決方案。

　　UltraRAM 背后的基礎科學在于它利用了化合物半導體的獨特特性，這通常用于光子器件，例如 LED、激光器和紅外探測器，現在可以在硅上批量生產。研究人員聲稱，最新的硅化身優于在砷化鎵半導體硅片上測試的技術。

　　UltraRAM 的一些推斷數字是，它將提供“至少 1,000 年的數據存儲時間”，其快速切換速度和編程擦除循環耐久性“比閃存好一百到一千倍”。將這些品質添加到類似 DRAM 的速度、能源效率和耐用性上，這種新穎的內存類型聽起來很難讓科技公司忽視。

　　如果您在上面幾行之間閱讀，您會發現 UltraRAM 旨在打破 RAM 和存儲之間的鴻溝。因此，理論上，您可以將其用作一次性解決方案來滿足這些當前單獨的需求。在 PC 系統中，這意味著您將獲得一大塊 UltraRAM，例如 2TB，這將滿足您的 RAM 和存儲需求。

　　這種轉變，如果它發揮其潛力，將是推動流行的內存處理趨勢的好方法。畢竟，你的存儲就是你的記憶——有了 UltraRAM；它是相同的晶圓。當一個用例取得成功時，看到 UltraRAM 部署擴展到從服務器到 PC，再到智能設備、控制臺等，也就不足為奇了。新的內存技術是否足夠快，可以將專業的快速內存類型排除在外，比如當代 GDDR 和 HBM 技術，還有待觀察。

　　UltraRAM 定價可能是另一個棘手的問題。如果它沒有價格競爭力，那么它的潛在采用率和變革能力就會受到阻礙。這一經濟因素還有待觀察，但研究人員對 UltraRAM 的硅量產突破感到高興，使其易于使用。

　　蘭開斯特大學的研究人員表示，正在進行進一步的工作以提高質量、微調制造工藝以及實施和擴展 UltraRAM 設備。